时间：2025/10/6 19:34:51
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UPM2G100MHD是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的P沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关和DC-DC转换器等场景。该器件采用高密度工艺制造，具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性，适用于便携式电子设备和高效率电源系统。其封装形式为HVSOF5（High Voltage Small Outline FET），属于小型化表面贴装封装，便于在空间受限的应用中实现紧凑布局。
UPM2G100MHD设计用于在高侧开关配置中工作，支持负电压控制，能够有效降低功耗并提升整体系统效率。该MOSFET具备优良的栅极耐压能力，可承受较高的VGS电压，增强了在瞬态条件下的可靠性。此外，器件内部集成了ESD保护结构，提高了在实际生产和使用过程中的抗静电能力，减少了因静电放电导致的损坏风险。
型号：UPM2G100MHD
极性：P沟道
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-2.8A（@TC=70℃）
脉冲漏极电流（IDM）：-8.4A
导通电阻（RDS(ON)）：100mΩ（@VGS=-4.5V）
导通电阻（RDS(ON)）：85mΩ（@VGS=-2.5V）
阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
输入电容（Ciss）：320pF（@VDS=-10V, VGS=0V）
输出电容（Coss）：180pF（@VDS=-10V, VGS=0V）
反向恢复时间（trr）：典型值12ns
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
封装类型：HVSOF5
UPM2G100MHD具备出色的低导通电阻特性，在VGS=-4.5V条件下，RDS(ON)仅为100mΩ，而在更低的栅极驱动电压VGS=-2.5V时仍能保持85mΩ的低阻值，这使得它非常适合于电池供电设备中对效率要求较高的应用。低RDS(ON)有助于减少导通损耗，从而降低发热，提高电源系统的整体能效。该器件采用先进的沟槽式MOSFET工艺，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力，同时减小了芯片尺寸，实现了高性能与小型化的平衡。
该MOSFET具有良好的热性能，得益于HVSOF5封装的高效散热设计，能够在有限的空间内有效传导热量，确保长时间运行时的稳定性。其最大工作结温可达+150℃，支持宽温度范围下的可靠工作，适用于工业级和消费类电子产品。此外，器件的栅极氧化层经过特殊处理，具备±12V的栅源电压耐受能力，能够在瞬态过压或噪声干扰下保持稳定，防止栅极击穿。
UPM2G100MHD还表现出优异的开关特性，输入电容和输出电容较小，分别为320pF和180pF，有助于减少驱动电路的功耗并加快开关速度。其反向恢复时间短（典型值12ns），在同步整流或桥式电路中可降低体二极管反向恢复带来的损耗和电磁干扰。器件内置的ESD保护功能进一步增强了其在自动化贴片和现场操作中的鲁棒性，符合JEDEC标准的HBM模型测试要求，提升了生产良率和产品可靠性。
UPM2G100MHD常用于各类便携式电子设备中的电源开关和负载管理，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和移动电源等。在这些应用中，它通常作为高侧开关控制电池与主电路之间的连接，实现低静态功耗的待机模式切换。由于其P沟道特性，无需额外的电荷泵电路即可实现负压驱动，简化了电源设计并降低成本。
该器件也适用于DC-DC转换器中的同步整流拓扑，特别是在降压（Buck）转换器中作为上管使用，能够有效降低导通损耗，提高转换效率。此外，UPM2G100MHD还可用于热插拔电路、电源多路复用器以及各种需要快速响应和低功耗控制的场合。其小型化封装使其特别适合高密度PCB布局，满足现代电子产品对轻薄化和微型化的需求。在工业控制、通信模块和IoT终端设备中，该MOSFET也展现出良好的适应性和稳定性，是替代传统通孔型晶体管的理想选择。
DMG2302UK-7
SI2302DS-T1-E3
AO3401A
FDMC8202
