时间：2025/5/8 14:23:06
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R5443Z218AA-E2-F 是一款由日本 Rohm 公司生产的功率半导体器件，具体属于 P 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号广泛应用于电源管理、负载开关以及需要低导通电阻和快速开关特性的电路中。其封装形式为小型化表面贴装的 VFQFN4x4-16L，非常适合高密度设计。
类型：P沟道 MOSFET
耐压：-40V
最大连续漏极电流：-7A
导通电阻（典型值）：18mΩ
栅极-源极电压范围：-10V 至 0V
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：VFQFN4x4-16L
R5443Z218AA-E2-F 提供了非常低的导通电阻，这使得它在高效率应用中表现出色。此外，其快速的开关速度可以减少开关损耗，并且在高频应用中表现稳定。
由于采用了 VFQFN 封装，这款 MOSFET 具有较小的尺寸和良好的热性能，适合紧凑型设计。同时，该器件还具有出色的静电防护能力（ESD），确保更高的可靠性。
其静态和动态特性均经过优化，能够满足现代电子设备对高性能和低功耗的需求。
R5443Z218AA-E2-F 主要应用于便携式设备中的电源管理模块，如智能手机和平板电脑的负载开关。此外，它还可以用于 DC-DC 转换器、电池保护电路、LED 驱动以及各种工业控制场景中的开关元件。
由于其低导通电阻和小封装的特点，这款 MOSFET 特别适用于需要节省空间和提高效率的设计。
R5443Z218BA-E2-F
