产品系列：GLF
　　封装尺寸：2012（EIA 0805）
　　电感值：10 μH
　　电感公差：±10%
　　直流电阻（DCR）典型值：380 mΩ
　　额定电流（Irms）：540 mA
　　饱和电流（Isat）：780 mA（通常以电感下降30%为基准）
　　工作温度范围：-55°C 至 +155°C
　　最大工作温度：+155°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +155°C
　　核心类型：金属合金粉末芯
　　屏蔽类型：磁屏蔽（低EMI）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　可焊性：符合IEC 60068-2-20标准
　　抗焊接热：符合J-STD-020标准
　　RoHS合规：是
　　无卤素：是

GLF2012T100K采用先进的绕线技术和高磁导率金属合金粉末核心，使其在小型化的同时实现了卓越的电气性能和热稳定性。其最显著的特点之一是低直流电阻（DCR），典型值仅为380mΩ，这大大减少了在大电流通过时的I2R功率损耗，从而提高了电源系统的整体效率。对于电池供电设备而言，这一点尤为重要，因为它直接影响到续航时间和能效表现。同时，该电感器具有出色的电流处理能力，饱和电流达到780mA，在此电流下电感值仅下降约30%，这意味着即使在瞬态负载变化或峰值电流出现时，电感仍能维持有效的储能和滤波功能，避免因磁芯饱和导致的性能骤降甚至电路失效。
　　该器件采用了全磁屏蔽结构，极大抑制了外部磁场泄漏，降低了对邻近敏感元件的电磁干扰（EMI），同时也增强了自身对外部磁场的抗扰能力。这一特性使得GLF2012T100K非常适合用于高密度集成板卡，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及车载电子模块等对EMC要求严格的场合。此外，其金属合金磁芯具有优异的温度稳定性，电感值随温度的变化较小，确保了在-55°C至+155°C宽温范围内稳定工作。该材料还表现出良好的抗老化特性，长期运行后参数漂移小，提升了系统的长期可靠性。
　　GLF2012T100K支持自动贴片装配和回流焊接工艺，引脚端子经过特殊镀层处理，具备优良的可焊性和耐腐蚀性，符合现代SMT生产线的要求。其结构坚固，抗震抗冲击能力强，适用于各种严苛的应用环境。Vishay作为全球领先的被动元件制造商，对该系列产品实施严格的质量控制流程，确保每批次产品都具有高度一致的性能指标。此外，该电感符合RoHS和无卤指令，满足绿色环保电子产品的发展趋势。综合来看，GLF2012T100K是一款集小型化、高效能、高可靠性和良好EMI特性于一体的高性能功率电感，适用于多种现代电子系统中的关键电源管理环节。

GLF2012T100K主要应用于需要高效、紧凑型功率电感的直流-直流（DC-DC）转换电路中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理系统，如智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备，这些设备通常采用多路降压型（Buck）或升压型（Boost）转换器为处理器、传感器和显示屏供电。由于其低直流电阻和高饱和电流特性，该电感能够有效支持动态负载变化下的稳定输出，提升电源效率并延长电池寿命。
　　在通信模块中，GLF2012T100K可用于射频前端电源滤波、基带处理器供电以及PMU（电源管理单元）的输出滤波环节，提供稳定的能量传输路径并抑制噪声传播。此外，在工业控制设备、医疗电子仪器以及汽车电子系统（如ADAS模块、车载信息娱乐系统）中，该电感也常被用于为微控制器（MCU）、FPGA、DSP等数字芯片提供干净、高效的电源轨。
　　由于其磁屏蔽结构带来的低电磁干扰优势，GLF2012T100K特别适合用于高密度PCB布局或多层板设计中，避免与其他高频信号线路产生耦合干扰。它也可用作LC滤波器中的关键元件，用于平滑开关电源输出纹波，改善电源质量。在LED驱动电路中，该电感可用于恒流源拓扑结构中实现高效的能量转换。总之，任何需要在有限空间内实现高效率、高稳定性和低噪声电源设计的场合，都是GLF2012T100K的理想应用领域。

ISL2012F-100K
　　SRN2012-100M
　　CDRH2D4-100MC
　　LQM2HP100MJ0