类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：9A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：6.8mΩ（典型值，@VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：26nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

GL9R06 MOSFET的核心优势在于其出色的导通性能和开关特性。该器件的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，从而提高系统效率。在VGS=10V时，RDS(on)仅为6.8mΩ，这使得器件在高电流应用中仍能保持较低的温升。
　　此外，GL9R06具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适用于连续高负载工作环境。其栅极电荷（Qg）为26nC，支持快速开关操作，有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。
　　该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的散热性能和机械强度，适合表面贴装工艺，广泛应用于工业控制、电源管理和汽车电子等领域。
　　GL9R06还具备较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性，能够在异常工况下保持稳定运行，提升系统的可靠性和安全性。

GL9R06广泛应用于需要高效功率控制的各类电子系统中。主要应用领域包括：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、马达驱动器、负载开关和电源管理模块等。
　　在电源转换系统中，GL9R06用于高效率的功率开关，能够显著降低导通损耗并提高整体能效。
　　在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池充放电控制和保护电路，确保电池组的安全运行。
　　此外，由于其良好的热性能和抗冲击能力，GL9R06也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和车载逆变器等应用。

Si9410BDY-T1-GE3, FDS6680, IRF7413PBF, AO4406A