时间：2025/8/17 15:46:05
阅读：14
GT2110是一款由Giantec Semiconductor（巨盛半导体）生产的高性能、高集成度的双通道MOSFET驱动芯片，专为驱动N沟道功率MOSFET和IGBT设计。该芯片采用高压工艺制造，具备高耐压、高驱动能力、低传输延迟和良好的抗干扰能力，广泛应用于电源转换、电机驱动、同步整流、半桥和全桥拓扑结构等功率系统中。GT2110采用16引脚封装（如SOP16或DIP16），内部集成了高端和低端驱动电路，并带有死区时间控制功能，确保上下桥臂MOSFET不会同时导通，从而避免直通短路。
工作电压范围：10V ~ 20V
输出驱动能力：高端/低端均为0.4A / 0.8A
高压侧浮动电压：最高可达600V
输入逻辑兼容：CMOS/TTL
传输延迟时间：典型值约120ns
死区时间可调：通过外部电阻设置
封装形式：SOP16/DIP16
工作温度范围：-40°C ~ +150°C
GT2110具备多项高性能特性，首先是其高耐压能力和双通道驱动结构，能够有效驱动高边和低边的N沟道MOSFET，适用于半桥、全桥等拓扑结构。其高压侧浮动电压可达600V，使其在高压功率转换应用中表现优异。该芯片的驱动能力强，输出电流高达0.8A，有助于快速开关功率器件，降低开关损耗。
此外，GT2110具有低传输延迟和低延迟时间匹配特性，确保高端与低端驱动信号同步，提升系统效率和稳定性。芯片内部集成了死区时间控制功能，可通过外部电阻调节死区时间，防止上下桥臂同时导通导致的短路问题，提高系统安全性。
GT2110还具备良好的抗干扰能力，能够有效防止dv/dt引起的误触发，增强系统可靠性。其输入端兼容TTL和CMOS电平，便于与各种控制电路（如MCU、DSP、PWM控制器）接口连接。芯片还内置欠压保护（UVLO）功能，在供电电压不足时自动关闭输出，保护功率器件免受损坏。
GT2110广泛应用于各种电力电子变换器中，如DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动器、UPS不间断电源、逆变器、同步整流电路、工业自动化控制系统等。由于其高压浮动能力与双通道驱动结构，特别适合用于需要驱动高边N沟道MOSFET的半桥或全桥拓扑结构。在电动车驱动、光伏逆变、高频开关电源等领域，GT2110也表现出良好的性能。其高可靠性与抗干扰能力使其适用于恶劣环境下的工业应用。
IR2110、LMG1210、FAN7382、TC4420
