类型：CMOS SRAM
　　密度：256 Kbit
　　组织结构：32K x 8
　　供电电压：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：55 ns
　　工作电流（最大）：40 mA（典型值25 mA）
　　待机电流（ISB1，CE = 高）：< 10 μA
　　待机电流（ISB2，CE = 高且输入稳定）：< 2 μA
　　输入/输出逻辑电平：兼容TTL
　　封装形式：44-pin SOJ
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　湿度敏感等级（MSL）：3

CY62256NLL-55ZXA具备出色的性能与功耗平衡能力，是适用于多种嵌入式系统的理想选择。其核心优势之一在于快速的55ns访问时间，使得该SRAM能够在高速微处理器系统中作为主数据缓存或临时存储区域高效运行。这种速度足以支持大多数16位和32位处理器的总线时钟频率，避免因存储延迟导致的系统瓶颈。同时，该器件采用了先进的CMOS制造工艺，不仅提升了开关速度，还有效降低了动态功耗，使其在频繁读写操作下仍能保持较低的整体能耗。
　　另一个关键特性是其灵活的低功耗管理模式。当片选信号CE变高时，器件自动进入低功耗待机模式，此时静态电流可降至2μA以下，极大地节省了能源，特别适用于便携式设备或远程监控系统等依赖电池供电的应用场景。即使在深度睡眠状态下，只要电源维持正常，数据即可长期保存，无需刷新机制，这正是SRAM相较于DRAM的一大优势。
　　该器件具备高抗干扰能力和稳定的I/O驱动性能，所有输入端均带有滞后施密特触发器设计，增强了噪声抑制能力，提高了信号完整性。输出驱动能力强，可直接连接到标准逻辑电路而无需额外缓冲。此外，其44引脚SOJ封装提供了足够的引脚间距，便于PCB布线和自动化装配，同时也具备良好的散热性能，有助于在高密度板卡上维持稳定工作。
　　可靠性方面，CY62256NLL-55ZXA经过严格的质量测试，包括高温老化、温度循环和高压蒸煮试验，确保长期使用的稳定性。器件支持无限次的读写操作，不存在写入寿命限制问题。加之其工业级温度范围支持，可在极端冷热环境中可靠运行，适用于户外通信基站、车载电子或工业自动化设备等严苛应用场景。

CY62256NLL-55ZXA广泛应用于需要高速、低功耗、高可靠性的静态存储解决方案的各种电子系统中。在工业控制领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和数据采集模块中，作为实时数据缓存或程序暂存区，以提高响应速度和处理效率。在网络通信设备中，如路由器、交换机和防火墙，该SRAM可用于包缓冲、队列管理或协议处理中间数据的临时存储，保障数据流的顺畅传输。
　　在消费类电子产品中，该芯片常见于高端打印机、复印机和多功能办公设备中，用于图像缓冲和页面渲染处理。由于其快速读写能力和稳定的电气性能，能够支持高分辨率图形的快速打印任务。此外，在医疗监测设备中，如心电图机、超声仪和病人监护仪，CY62256NLL-55ZXA被用来临时存储传感器采集的生理信号数据，确保关键信息不会因处理延迟而丢失。
　　在POS终端和自助服务机中，该器件用于交易数据的临时缓存和屏幕刷新缓冲，提升用户体验。同时，因其具备良好的温度适应性和长期稳定性，也被应用于汽车电子系统中的仪表盘控制单元、车载导航和ADAS辅助系统中，作为临时运算存储空间。此外，在测试测量仪器、军工电子和航空航天领域也有广泛应用，满足对数据完整性和系统可靠性的严苛要求。

CY62256NLL-70ZSAXI
　　CY62256NLL-55ZXI
　　IS62WV256-55BLLI