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H55S2562NFR-A3 发布时间 时间:2025/9/1 18:20:30 查看 阅读:9

H55S2562NFR-A3 是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛用于需要高速数据存储和处理的电子设备中。该芯片采用标准的TSOP(薄型小外形封装)封装形式,具备较高的稳定性和兼容性,适用于多种工业和消费类电子产品。

参数

容量:256MB
  组织结构:x16
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  数据速率:166MHz
  

特性

H55S2562NFR-A3 具备多项显著的性能特点,使其在各类应用场景中表现出色。首先,该芯片采用先进的CMOS工艺制造,确保了较低的功耗和较高的数据传输效率。其工作电压范围为2.3V至3.6V,提供了较大的电源适应性,适用于多种供电环境。
  其次,H55S2562NFR-A3 的访问时间仅为5.4ns,这意味着它可以快速响应处理器的数据请求,从而提高系统的整体性能。同时,该芯片支持异步操作模式,允许灵活的时序控制,以适应不同的系统设计需求。
  此外,H55S2562NFR-A3 采用TSOP封装,具备良好的散热性能和机械稳定性,适合在高密度PCB布局中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C,确保在极端环境条件下仍能保持稳定运行,适用于工业级设备和嵌入式系统。
  最后,该芯片的x16位宽设计使其适用于需要较高数据吞吐量的应用,如图像处理、网络设备和通信模块等。

应用

H55S2562NFR-A3 主要用于需要中等容量高速存储的设备。常见应用包括工业控制设备、嵌入式系统、网络路由器和交换机、视频采集和处理设备、医疗成像设备以及消费类电子产品如高端智能电视和游戏机。其稳定性和兼容性使其成为多种系统设计的理想选择。

替代型号

H57V2562GTR-A3C, H57V5122GTR-A3C, CY62148EVLL-45ZS

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