时间：2025/6/18 12:22:32
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RDN050N20是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关和其他电力电子设备中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性，适合在高效能、紧凑型设计中使用。
RDN050N20采用TO-220封装形式，这种封装有助于散热并提供较高的电流处理能力。此外，这款MOSFET支持较低的栅极驱动电压，使其非常适合电池供电的便携式设备。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：5A
导通电阻（典型值）：0.5Ω
栅极电荷：19nC
总功耗：10W
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力，能够承受高达200V的漏源电压。
2. 低导通电阻，在额定条件下典型值为0.5Ω，从而减少功率损耗。
3. 快速开关特性，具备低栅极电荷和输出电容，有助于提高效率并降低电磁干扰。
4. 具备出色的雪崩能力和热稳定性，能够在异常条件下保护电路。
5. 支持表面贴装和通孔安装，适应多种PCB布局需求。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品应用。
1. 开关电源中的同步整流器或主开关管。
2. 直流/直流转换器中的功率开关。
3. 电机控制与驱动电路中的功率级元件。
4. 负载开关和保护电路中的电子开关。
5. 电池管理系统中的充电/放电控制。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N, STP55NF06, FDP5570
