类型：MOSFET驱动器
　　工作电压范围：4.5V 至 18V
　　输出电流能力：高端驱动器：1A，低端驱动器：1.2A
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SOP8、DFN8
　　传播延迟：典型值为20ns
　　输入逻辑电平：TTL/CMOS兼容
　　死区时间控制：内置
　　静态电流：典型值为100μA

GL3S具备一系列先进的特性，以确保其在各种应用中的高性能和稳定性。首先，其双通道驱动能力使其能够同时驱动高侧和低侧MOSFET，适用于半桥或全桥拓扑结构。
　　其次，该芯片内置死区时间控制功能，有效防止上下桥臂直通，提高了系统的可靠性。此外，GL3S具有低延迟特性，传播延迟仅为20ns左右，能够满足高频开关应用的需求。
　　GL3S的工作电压范围较宽，从4.5V到18V均可正常工作，适应多种电源环境。其输入逻辑电平与TTL和CMOS兼容，便于与控制器连接。
　　该芯片采用SOP8和DFN8等小型封装，适合高密度PCB布局。此外，其低静态电流（典型值为100μA）有助于降低系统功耗，提高整体能效。
　　GL3S还具备较强的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定工作，特别适合工业控制和电源转换应用。

GL3S广泛应用于多种电力电子系统中。在DC-DC转换器中，GL3S可用于驱动同步整流MOSFET，提高转换效率并减少发热。在电机驱动系统中，该芯片可作为H桥驱动器，控制电机的正反转和调速。
　　此外，GL3S也常用于电源管理模块、LED驱动器、逆变器和电池充电器等设备中。其高集成度和可靠性使其成为工业自动化设备、智能家电和新能源系统中的理想选择。
　　由于其紧凑的封装和优良的热性能，GL3S也适用于空间受限的便携式电子产品和高功率密度的电源模块。

UCC27517, IR2110, TC4420, MIC502