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1N4619C-1/TR 发布时间 时间:2025/9/4 0:33:14 查看 阅读:8

1N4619C-1/TR 是一种齐纳二极管(Zener Diode),广泛用于电压参考和稳压电路中。该器件由ON Semiconductor制造,采用表面贴装封装,适合高精度和稳定性的应用。其齐纳电压额定值为3.3V,在一定的电流范围内能够提供稳定的电压输出。

参数

类型:齐纳二极管
  齐纳电压(Vz):3.3V
  测试电流(Iz):5mA
  最大齐纳电流(Izmax):100mA
  最大耗散功率:300mW
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOD-123
  引脚数:2
  存储温度范围:-55°C 至 150°C

特性

1N4619C-1/TR 齐纳二极管具有良好的电压稳定性和低动态电阻,使其在各种稳压电路中表现优异。该器件的温度系数较低,能够在较宽的温度范围内保持稳定的齐纳电压。此外,其快速响应时间和低漏电流特性使其适用于高精度的电压调节和参考应用。封装采用紧凑的SOD-123形式,便于在印刷电路板(PCB)上安装和布局,同时具备良好的热性能和机械强度。

应用

1N4619C-1/TR 常用于需要稳定电压参考的电路设计,例如电源稳压器、电池充电器、电压检测电路以及精密测量仪器。其应用范围涵盖消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。此外,该齐纳二极管也适用于作为逻辑电路中的参考电压源或用于保护电路免受电压过冲的影响。

替代型号

BZX84-C3V3, MMSZ4619T1G, ZMM33, 1N4728A

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1N4619C-1/TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格174 : ¥43.28724卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)3 V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大值500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)1600 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏400 nA @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.1 V @ 200 mA
  • 工作温度-65°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装DO-35(DO-204AH)