类型：氮化镓（GaN）功率晶体管
　　漏源电压（VDS）：100V
　　漏极电流（ID）：20A
　　导通电阻（RDS(on)）：13mΩ
　　栅极电荷（QG）：15nC
　　反向恢复电荷（QRR）：0nC
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

GL-112N13 采用先进的氮化镓半导体技术，具有优异的电气和热性能。其主要特性包括：
　　1. **高击穿电压**：GL-112N13 支持高达100V的漏源电压，适用于中高功率的DC-DC转换器和AC-DC电源系统。
　　2. **低导通电阻**：其导通电阻仅为13mΩ，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
　　3. **零反向恢复电荷**：与硅基MOSFET不同，GL-112N13在同步整流应用中表现出几乎为零的反向恢复电荷，大幅减少了开关损耗，提升了高频应用的效率。
　　4. **高速开关性能**：由于氮化镓材料的特性，GL-112N13可以在数百千赫兹至兆赫兹范围内高效工作，适用于高频率的开关电源设计。
　　5. **热性能优越**：该器件采用了高效的散热封装结构，能够在高温环境下稳定运行，提高了系统的可靠性和寿命。
　　6. **集成化设计**：支持简化外围电路设计，有助于减少整体PCB面积和系统成本。

GL-112N13 主要应用于需要高效率和高频开关的功率转换系统，包括：
　　1. **高效率电源转换器**：如LLC谐振转换器、有源钳位反激式转换器等，用于笔记本电脑、服务器和工业设备的电源适配器。
　　2. **电动汽车充电系统**：用于车载充电器（OBC）和DC-DC转换模块，提升充电效率和功率密度。
　　3. **光伏逆变器**：适用于太阳能发电系统中的高效DC-AC逆变器，提高能量转换效率。
　　4. **5G通信电源**：用于高密度、高效率的电信设备电源系统。
　　5. **消费类电子产品**：如高功率密度的USB-C电源适配器和无线充电系统。

EPC2045, GS61004B, LMG3410R050