GK1235-70是一款高性能的开关型场效应晶体管(MOSFET),主要用于电源管理、电机驱动和信号切换等应用。该器件采用N沟道增强型技术,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高电路效率并减少功率损耗。
其封装形式通常为TO-220,适合高功率应用场景,并且具备良好的散热性能。GK1235-70适用于需要高效能和高可靠性的电子设备中。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:40A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:45nC
总电容:250pF
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 低导通电阻设计,可有效降低功耗并提升系统效率。
2. 快速开关速度,适用于高频操作环境。
3. 高额定电流和耐压能力,保证了在复杂工况下的稳定运行。
4. 良好的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保持性能。
5. 封装结构紧凑且坚固,便于安装和维护。
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 电动工具和家用电器中的电机控制单元。
3. 汽车电子系统中的负载切换。
4. 工业自动化设备中的信号隔离与传输。
5. 各类电池管理系统中的充放电保护电路。
IRFZ44N, STP40NF06L