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GA0805A680JXEBP31G 发布时间 时间:2025/5/29 19:34:35 查看 阅读:10

GA0805A680JXEBP31G是一款高性能的功率MOSFET器件,主要应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能,能够有效提升系统的效率和稳定性。
  该器件属于沟道增强型MOSFET,通过优化设计实现了更低的功耗和更高的可靠性。其封装形式为小型化表面贴装类型,便于在紧凑型设计中使用。

参数

型号:GA0805A680JXEBP31G
  类别:功率MOSFET
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):45A
  总功耗:75W
  封装形式:TO-252(DPAK)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  结温:150°C

特性

GA0805A680JXEBP31G具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著减少导通损耗,适用于高效率应用。
  2. 高速开关性能,支持高频操作,适合开关电源及DC-DC转换器。
  3. 优秀的热性能,能够承受较高的结温,提高系统可靠性。
  4. 强大的过流能力,可承受高达45A的连续漏极电流。
  5. 宽工作温度范围,适应恶劣环境下的稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心功率元件。
  3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  4. 工业控制设备中的电机驱动电路。
  5. 电池管理系统中的充放电控制。
  6. 各种便携式电子设备的高效电源管理方案。

替代型号

GA0805A680JXEBP31H, GA0805A680JXEBP31F

GA0805A680JXEBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容68 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-