时间：2025/6/20 12:24:26
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GJM1555C1HR75BB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺设计，适用于高效率、低损耗的电力电子应用。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著降低功耗并提升系统性能。
这款芯片特别适合用于电源管理、电机驱动以及工业控制等领域，能够满足对功率密度和可靠性要求较高的应用场景。
型号：GJM1555C1HR75BB01D
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-247-3
最大漏源电压（Vds）：75V
最大栅极驱动电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：98A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗：260W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
栅极电荷（Qg）：95nC（典型值）
反向恢复时间（trr）：25ns
GJM1555C1HR75BB01D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有效减少传导损耗。
2. 快速开关性能，支持高频应用，进一步降低开关损耗。
3. 较高的雪崩耐量能力，确保在过载条件下的可靠运行。
4. 稳定的热性能，适应恶劣的工作环境。
5. 内置 ESD 保护功能，增强器件的抗静电能力。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这些特性使得该器件非常适合需要高效能和高可靠性的应用场合。
GJM1555C1HR75BB01D 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源和不间断电源（UPS）。
2. 太阳能逆变器和储能系统。
3. 电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）的电机驱动。
4. 高效 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。
5. 电信设备中的电源模块。
6. 大功率 LED 驱动器。
其强大的性能和稳定性使其成为众多高功率应用的理想选择。
GJM1555C1HR75BA01D, IRFP260N, FDP55N75E
