您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > NTR1P02LT3G

NTR1P02LT3G 发布时间 时间:2023/4/14 11:58:01 查看 阅读:375

分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品

家庭:MOSFET,GaNFET - 单

FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 特点:逻辑电平门

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:220 毫欧 @ 750mA, 4.5V

漏极至源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.3A

Id 时的 Vgs(th)(最大):1.25V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs:5.5nC @ 4V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :225pF @ 5V

功率 - 最大:400mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?, SSD3, SST3

包装:带卷 (TR)

供应商设备封装:SOT-23

资料

厂商
ON Semiconductor

NTR1P02LT3G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

NTR1P02LT3G资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

NTR1P02LT3G参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C220 毫欧 @ 750mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.25V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5.5nC @ 4V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds225pF @ 5V
  • 功率 - 最大400mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTR1P02LT3G-NDNTR1P02LT3GOSTR