GJM1555C1H5R2BB01D 是一款高性能的钽电容器,属于固体钽电容系列。该器件采用表面贴装技术(SMT),适用于需要高可靠性和稳定性的电路应用。其设计特别适合于高频滤波、电源去耦和信号调节等场景。钽电容器以其低等效串联电阻(ESR)、高频率特性和出色的温度稳定性而闻名。
容量:4.7μF
额定电压:35V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:芯片型
尺寸:1610 (L x W)
耐纹波电流能力:较高
等效串联电阻(ESR):低
绝缘电阻:高
GJM1555C1H5R2BB01D 具有以下显著特点:
1. 高可靠性:得益于钽材料的固有特性,该电容器能够在严苛的工作条件下保持性能。
2. 稳定性:无论是温度变化还是时间老化,其电气性能都表现出极高的稳定性。
3. 小型化设计:使用 SMD 封装,体积小,非常适合空间受限的应用场景。
4. 低 ESR 和 ESL:使得该电容器在高频应用中表现优异,有效减少功率损耗。
5. 长寿命:即使在高负载下也能提供持久的使用寿命。
该型号的钽电容器广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:
1. 工业控制设备中的电源滤波与去耦。
2. 通信设备中的信号调理电路。
3. 汽车电子系统中的稳压模块。
4. 医疗仪器中的精密电路设计。
5. 军用和航天领域,由于其高可靠性和抗恶劣环境的能力,也被广泛应用。
GJM1555C1H5R2BB01A, GJM1555C1H5R2BB01B