时间：2025/7/9 2:28:16
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FDD6760A 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要应用于需要高效率开关和低导通电阻的场景。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合于开关电源、电机驱动、负载切换等应用领域。
这款 MOSFET 具有出色的热性能和电气特性，能够在高频工作条件下保持高效运行。其封装形式通常为 TO-252 (DPAK)，有助于提高散热性能并简化电路设计。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：18A
导通电阻：4.5mΩ
总栅极电荷：39nC
输入电容：1080pF
开关时间：ton=12ns, toff=25ns
结温范围：-55℃至+175℃
FDD6760A 的关键特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 18A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，具有较小的栅极电荷和输入电容，适合高频应用。
4. 优化的热性能，确保在高功率密度下的可靠运行。
5. 小巧的 DPAK 封装，节省 PCB 空间的同时提供良好的散热路径。
6. 宽温度范围，允许在极端环境下稳定工作。
FDD6760A 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流和主开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载切换和保护电路。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
FDP5500, IRFZ44N, AO3400
