时间：2025/11/7 20:58:27
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CDZVT2R16B是一款由Central Semiconductor Corp生产的表面贴装硅肖特基势垒二极管，采用SOD-323（SC-76）小型封装。该器件专为需要高效率和快速开关性能的低压、大电流应用而设计。由于其肖特基结构，它具有较低的正向电压降（VF），通常在0.2V至0.4V之间（取决于测试电流），从而显著减少功率损耗并提高系统整体能效。同时，其反向漏电流相对较低，在高温环境下仍能保持良好的稳定性，适用于便携式电子设备、电源管理电路以及信号整流等对空间和功耗敏感的应用场景。
CDZVT2R16B具有优良的热性能和可靠性，适合自动化表面贴装工艺（SMT），能够在回流焊过程中承受无铅焊接温度曲线。其额定最大重复峰值反向电压（VRRM）为20V，持续工作时的最大直流反向电压（VR）也为20V，表明其适用于低电压直流电路中的反向保护、防倒灌和续流功能。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅、镉、六价铬等有害物质，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。
类型：肖特基势垒二极管
极性：单路
最大重复峰值反向电压 VRRM：20V
最大直流反向电压 VR：20V
平均整流电流 IO：200mA
峰值浪涌电流 IFSM：500mA
正向压降 VF：0.4V @ 200mA
最大反向漏电流 IR：1μA @ 20V
工作结温 TJ：-55°C ~ +125°C
存储温度范围 TSTG：-55°C ~ +150°C
封装/外壳：SOD-323（SC-76）
安装类型：表面贴装（SMT）
制造商：Central Semiconductor Corp
包装形式：卷带（Tape and Reel）
CDZVT2R16B的核心优势在于其基于肖特基势垒结构所实现的超低正向导通压降与快速开关响应能力。这种金属-半导体结结构避免了传统PN结中少数载流子的储存效应，因此该二极管具备极短的反向恢复时间（trr），典型值小于1纳秒，使其非常适合用于高频整流、开关电源中的续流或箝位操作，以及高速数字逻辑电路中的信号整形与保护。低VF特性意味着在导通状态下能耗极小，这对于电池供电设备如智能手机、可穿戴设备、蓝牙耳机等延长续航时间至关重要。例如，在一个DC-DC转换器中作为输出整流元件使用时，相较于普通硅二极管约0.7V的压降，CDZVT2R16B仅需0.4V左右即可完成相同电流传输，大幅降低了I2R损耗。
该器件的封装采用紧凑型SOD-323（SC-76），尺寸约为1.6mm × 1.25mm × 0.95mm，非常适合高密度PCB布局，尤其适用于空间受限的小型化电子产品。尽管体积微小，但其热阻特性经过优化，能够有效将工作时产生的热量传导至PCB焊盘上进行散热，保证在额定负载下的长期稳定运行。此外，其最大反向漏电流控制在1μA以内（在20V反向偏压下），即使在较高环境温度条件下也能维持较低的静态功耗，避免因漏电导致的系统异常。结温范围可达+125°C，支持宽温域应用，并通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和湿度敏感度等级（MSL1）认证，确保在恶劣工况下的耐用性。
CDZVT2R16B还具备良好的电气一致性与批次稳定性，适合大规模自动化生产。其卷带包装形式便于SMT贴片机自动取放，提升产线效率。同时，该器件符合国际环保标准，已通过RoHS和REACH法规认证，不含有害物质，支持绿色制造流程。对于需要替代金线键合或其他更高成本方案的设计而言，CDZVT2R16B提供了一个性价比优异的选择，兼顾性能、尺寸与合规性，广泛应用于消费类电子、工业控制、通信模块及汽车电子外围电路中。
CDZVT2R16B常用于各类低电压、小电流的高效整流与保护电路中。典型应用场景包括便携式电子设备中的电源路径管理，例如在USB充电接口中防止电流倒灌；在锂电池供电系统中作为防反接二极管，防止电池错误接入损坏主控芯片；在DC-DC升压或降压转换器中作为续流二极管，配合电感完成能量释放过程，提高转换效率；也可用于隔离不同电源域之间的干扰，实现电源选择或多电源冗余设计。
在信号处理方面，该器件可用于高速开关电路中的钳位保护，限制瞬态电压尖峰对敏感元件的影响，常见于数字逻辑电路、微控制器I/O端口保护或传感器信号调理前端。此外，在射频识别（RFID）、无线传感节点、智能家居控制板等对功耗极为敏感的应用中，CDZVT2R16B凭借其低漏电与低VF特性，有助于最大限度地降低待机功耗，延长系统工作寿命。其小型化封装也使其成为耳机、智能手表、健康监测设备等可穿戴产品中理想的分立元件选择。
BAT54C, PMEG2005EH, RB520S-40, MBRM2020, SZ1N5819HE3
