类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A（在Tc=25°C时）
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大为28mΩ（在VGS=10V时）
　　最大功耗（PD）：32W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

CD15FD(287)F03 具备多项优异的电气和热性能特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件的RDS(on)在VGS=10V时仅为28mΩ，这使得它在高电流应用中仍然保持较低的功率损耗。
　　其次，CD15FD(287)F03具有高达60V的漏-源击穿电压（VDS），能够承受较高的电压应力，适用于多种中高功率转换器设计。同时，其栅极驱动电压范围为±20V，具备较高的栅极电压耐受能力，增强了器件的稳定性和可靠性。
　　此外，该MOSFET的封装采用TO-252（DPAK）形式，具有良好的热管理能力，能够在较高工作温度下保持稳定性能。最大功耗为32W，适合需要高效散热的应用环境。工作温度范围为-55°C至+150°C，使其适用于各种严苛的工作条件，包括工业控制和汽车电子系统。
　　CD15FD(287)F03还具备快速开关能力，减少了开关损耗，提高了系统的动态响应速度。其内部结构优化了寄生电容，降低了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电源和电机控制应用。
　　总体而言，CD15FD(287)F03是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，特别适用于需要高效能和高稳定性的电源管理和功率转换系统。

CD15FD(287)F03 主要应用于以下领域：
　　1. DC-DC转换器：适用于高效能的升压、降压及反相转换器，提高转换效率并减少发热。
　　2. 电机驱动：用于直流电机控制和H桥驱动电路，提供快速开关和低导通损耗。
　　3. 电源管理系统：适用于电池管理系统、负载开关以及电源分配系统，提高系统的稳定性和能效。
　　4. 工业自动化：用于工业控制设备中的开关和功率调节模块，确保系统的高可靠性和长寿命。
　　5. 汽车电子：适用于车载电源系统、电动助力转向（EPS）以及车载充电器等应用，满足汽车电子对高温和高可靠性的要求。

IRFZ44N, FDP6030L, FDS6680, Si4410DY