类型：IGBT模块
　　制造商：SEMIKRON
　　型号：SKIIP202GD120-300WT
　　额定集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：200A
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：SKIIP（Stacked Kelvin Integrated Intelligent Power）
　　短路耐受能力：5μs
　　隔离电压：3000VAC
　　安装方式：螺钉安装
　　引脚数量：23
　　尺寸：130mm x 80mm x 20mm
　　重量：约250g

SKIIP202GD120-300WT具有多项先进特性，确保其在复杂电力电子系统中的高性能表现。首先，该模块采用SEMIKRON专利的SKIIP封装技术，提供出色的散热性能和机械稳定性。模块内部集成了过热保护和短路保护功能，确保在极端工况下器件的安全运行。此外，该模块具备低饱和压降（VCE_sat）特性，可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。
　　该模块还采用了优化的内部布局设计，减少寄生电感，提升开关性能并降低电磁干扰（EMI）。模块的主端子设计支持大电流传输，同时保持良好的电气隔离特性。模块内部的IGBT芯片采用先进的沟槽栅场截止技术，具有优异的开关特性和较低的开关损耗。
　　SKIIP202GD120-300WT的封装结构支持双面散热，进一步提升热管理效率，使其适用于紧凑型功率转换系统。模块还集成了NTC热敏电阻，用于实时监测模块温度，提高系统的可靠性和安全性。该模块符合RoHS标准，适用于无铅焊接工艺。

该模块广泛应用于各种高性能电力电子设备中，包括工业伺服驱动器、变频器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、风力发电变流器以及电动汽车充电系统。其高可靠性和优异的电气性能使其成为工业自动化、可再生能源和电动汽车等领域的理想选择。此外，该模块也适用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统，如电能质量调节设备和智能电网系统。

SKM200GB12T4V1
　　 FS200R12KT4
　　 FF200R12KE4