时间：2025/6/22 3:02:30
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GJM1555C1H1R0CB01J 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率应用场景设计。该型号采用先进的增强型 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）技术，提供卓越的开关性能和低导通电阻。它适用于电源转换器、DC-DC 转换器、无线充电设备以及工业驱动系统等场景。
类型：增强型功率晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
最大漏源电压 (Vds)：650V
最大栅源电压 (Vgs)：+6V/-4V
导通电阻 (Rds(on))：1.2Ω
连续漏极电流 (Id)：3A
功耗：30W
封装形式：TO-252
GJM1555C1H1R0CB01J 的主要特点是其使用了氮化镓材料，相比传统硅基 MOSFET 具有更低的导通电阻和更快的开关速度。
GaN 技术显著减少了开关损耗，使器件能够在高频条件下保持高效率。
该器件具有较低的栅极电荷和输出电容，适合需要快速开关的应用场景。
同时，其增强型设计保证了在正向栅极电压下才能导通，从而提高了系统安全性。
此外，该芯片具备出色的热稳定性和可靠性，能够适应苛刻的工作环境。
这款 GaN 功率晶体管广泛应用于高频 AC-DC 和 DC-DC 电源转换器、USB-PD 充电器、无线电力传输模块、LED 驱动器以及工业电机驱动等领域。
由于其高效的开关特性和紧凑的设计，非常适合小型化、轻量化要求高的消费类电子产品和工业设备。
同时，它也适用于新能源领域中的光伏逆变器和储能系统中的功率转换部分。
GJM1555C1H1R0CB01K
