H5TC8G83BMR-H9A 时间：2025/9/2 2:56:05 阅读：7

H5TC8G83BMR-H9A 是由SK hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片属于高带宽内存（HBM，High Bandwidth Memory）类别，采用3D堆叠技术，主要用于高性能计算、图形处理、人工智能、以及需要高数据吞吐量的电子设备中。H5TC8G83BMR-H9A 具备高容量、低延迟、高带宽等特性，适合需要高速内存访问的现代计算平台。

参数

容量：8GB
　　类型：DRAM（HBM2）
　　带宽：约307GB/s（取决于系统设计）
　　封装类型：FCBGA
　　电压：1.2V
　　数据速率：256Mbps
　　工作温度：0°C至+95°C

特性

H5TC8G83BMR-H9A 采用HBM2标准，具有极高的数据传输带宽，能够满足高性能计算和图形处理的需求。其3D堆叠封装技术使得内存密度更高，同时减少了内存模块的物理占用空间，有助于缩小设备体积并提高系统集成度。
　　该芯片的工作电压为1.2V，具备较低的功耗特性，适用于对能效有较高要求的应用场景。其高带宽特性使得在GPU、AI加速卡、高性能FPGA等设备中能够显著提升数据处理能力。
　　此外，H5TC8G83BMR-H9A 的接口设计与主流HBM2标准兼容，便于在现有系统架构中集成。其高可靠性和稳定性也使其能够在严苛的工业和高温环境下稳定运行。

应用

H5TC8G83BMR-H9A 主要用于高性能计算系统（如AI加速器、深度学习服务器）、图形处理器（GPU）、现场可编程门阵列（FPGA）、高端游戏显卡、数据中心加速卡等对内存带宽要求极高的场景。由于其低功耗和高集成度，也适用于需要紧凑型设计的嵌入式系统和高端工业设备。
　　在AI训练和推理应用中，该芯片能够提供快速的数据访问能力，从而显著提升计算效率。在图形处理领域，它能够支持更高的分辨率和更复杂的图形渲染效果。此外，它也广泛应用于需要高速缓存的网络设备和存储控制器中。