KDZ10B 时间：2025/11/8 6:31:22 阅读：9

KDZ10B是一种稳压二极管（也称为齐纳二极管），主要用于提供精确且稳定的参考电压。这类器件利用了半导体PN结在反向击穿时的齐纳效应或雪崩效应，能够在一定的电流范围内维持一个相对恒定的电压降。KDZ10B的具体稳压值通常标称为10V，在适当的偏置条件下可以为模拟和数字电路中的关键部分提供可靠的电压基准。该系列二极管广泛应用于电源管理、信号调节、电压检测以及需要精密参考源的各种电子系统中。其封装形式多为小型玻璃封装如DO-35或类似的表面贴装等，具有体积小、响应速度快、温度稳定性较好等特点。
　　KDZ10B属于日本东芝（Toshiba）或其他厂商生产的KDZ系列的一部分，这一系列覆盖了多种不同的稳压等级，以满足多样化的应用需求。由于其良好的动态阻抗特性和较低的噪声表现，它常被用作低成本、高性能的电压钳位或分压网络中的核心元件。此外，该器件的工作电流范围较宽，可以在微安至数十毫安之间正常工作，适合电池供电设备和低功耗设计场景。需要注意的是，实际使用时应确保通过该二极管的电流不超过其最大额定值，并配合限流电阻合理设计外围电路，以防过热损坏。

参数

类型：齐纳二极管
　　极性：单向
　　标称齐纳电压：10V
　　测试电流 (IZT)：5mA
　　最大齐纳阻抗 (Zzt)：20Ω
　　最大功率耗散：500mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DO-35 (玻璃封装)
　　反向漏电流 (IR)：< 1μA @ VR = 8V

特性

KDZ10B作为一款典型的10V齐纳二极管，具备出色的电压稳定性能和良好的温度系数控制能力。其核心特性之一是在规定的测试电流下能够保持非常接近标称值的输出电压，即在5mA测试电流时稳定在10V左右，误差范围通常在±5%以内，适用于对精度有一定要求的应用场合。该器件的动态内阻较低，一般不超过20Ω，这意味着即使负载电流发生小幅波动，其两端电压的变化也非常有限，从而提升了系统的稳定性与可靠性。这种低阻抗特性对于抑制电源噪声、构建高精度比较器参考源或用于ADC/DAC的基准电压尤为关键。
　　另一个重要特点是其较高的击穿电压一致性与长期稳定性。由于制造工艺成熟，KDZ10B在批量生产中表现出较小的参数离散性，有利于提高整机产品的良率和一致性。同时，该器件采用玻璃封装结构，具有较好的气密性和抗氧化能力，能够在恶劣环境条件下长时间可靠运行。其工作结温可达+150°C，使其适用于高温工业环境下的应用。此外，该二极管还具备快速响应能力，可在纳秒级时间内完成从截止到导通的状态切换，因此也可用于瞬态电压抑制或脉冲整形电路中。
　　在功耗方面，KDZ10B的最大允许功耗为500mW，结合其10V的稳压值，理论上可承受的最大持续电流约为50mA（P=VI）。但在实际应用中，为了保证寿命和安全性，通常建议工作在10～20mA范围内，并配备适当的散热措施或限流电阻。它的反向漏电流极低，在未达到击穿电压前几乎不导电，这使得它在待机或低功耗模式下不会造成显著的能量损耗。总体而言，KDZ10B是一款性价比高、技术成熟、适用面广的基础型稳压二极管，广泛服务于消费电子、通信模块、传感器接口及嵌入式控制系统等领域。

应用

KDZ10B常用于各类需要稳定10V参考电压的电子电路中，典型应用场景包括线性稳压电源中的电压基准单元，为运算放大器、比较器或模数转换器（ADC）提供精准输入参考。它也可用于过压保护电路中作为电压钳位器件，当输入电压超过10V时，二极管导通并将多余能量泄放到地，从而保护后续敏感元件。在信号调理电路中，KDZ10B可用于电平平移或削峰限幅，确保信号幅度处于安全工作区间。此外，它还可应用于电池充电管理电路中进行电压检测，或在反馈控制环路中作为采样基准点使用。由于其封装小巧、成本低廉，也常见于便携式设备、智能家居模块和工业传感节点中。