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GJM1555C1H180GB01D 发布时间 时间:2025/6/23 23:24:47 查看 阅读:6

GJM1555C1H180GB01D 是一款高性能的工业级存储芯片,属于 NAND Flash 存储器系列。该芯片采用了先进的 3D NAND 技术,具有高容量、低功耗和稳定性的特点,广泛应用于需要大容量数据存储的场景,例如工业控制设备、医疗设备、通信设备以及嵌入式系统等。
  该芯片具备良好的擦写耐久性和数据保持能力,能够在极端温度环境下正常工作,从而满足各种苛刻的应用需求。

参数

容量:180GB
  接口类型:PCIe NVMe
  工作电压:1.8V
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
  数据保存时间:超过10年
  擦写寿命:3000次
  封装形式:BGA
  引脚数:169
  读取速度:高达 550 MB/s
  写入速度:高达 520 MB/s

特性

GJM1555C1H180GB01D 使用了最新的 3D NAND 技术,相比传统的 2D NAND,在相同面积下能够提供更高的存储密度,同时显著降低了单位比特的成本。此外,这款芯片支持端到端数据保护(End-to-End Data Protection),确保数据在传输过程中不被损坏。
  它还内置了强大的错误校正码(ECC)引擎,可以有效检测和纠正位错误,进一步提升数据可靠性。该芯片兼容多种主流控制器,便于集成到不同的硬件平台中。
  由于其宽泛的工作温度范围和卓越的抗干扰能力,这款存储芯片非常适合用于恶劣环境下的关键任务型应用。同时,芯片内部集成了智能磨损均衡算法,使得存储单元的使用寿命得到最大化。

应用

GJM1555C1H180GB01D 主要应用于对数据安全和稳定性要求较高的领域,包括但不限于以下方面:
  1. 工业自动化设备中的日志记录和程序存储;
  2. 医疗成像设备的数据缓存与长期存储;
  3. 嵌入式计算机系统的操作系统和应用程序加载;
  4. 车载信息系统中的地图数据存储;
  5. 网络通信设备中的配置文件和固件存储;
  6. 安防监控系统中的视频片段存储。
  由于其出色的性能和可靠性,这款芯片已成为许多高端设备制造商的首选解决方案。

替代型号

GJM1555C1H180GB02D, GJM1555C1H180GB03D

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GJM1555C1H180GB01D参数

  • 制造商Murata
  • 产品种类多层陶瓷电容 (MLCC) - SMD/SMT
  • 电容180 pF
  • 容差2 %
  • 电压额定值50 Volts
  • 温度系数/代码C0G (NP0)
  • 外壳代码 - in0402
  • 外壳代码 - mm1005
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 产品High Q MLCCs
  • 封装Reel
  • Capacitance - nF0.18 nF
  • 尺寸0.5 mm W x 1 mm L x 0.5 mm H
  • 封装 / 箱体0402 (1005 metric)
  • 系列GJM
  • 工厂包装数量10000
  • 端接类型SMD/SMT