时间：2025/6/19 12:46:03
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SH18B683K500CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，适用于高效率开关电源、电机驱动、逆变器以及其他电力电子应用。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低系统功耗并提高整体性能。
这款器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有出色的热稳定性和可靠性，能够在严苛的工作环境下保持稳定的性能表现。
型号：SH18B683K500CT
类型：N 沟道 MOSFET
额定电压：650 V
额定电流：50 A
导通电阻（典型值）：4.5 mΩ
栅极电荷：95 nC
连续漏极电流：50 A
最大功耗：275 W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
SH18B683K500CT 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少导通损耗并提升效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 高击穿电压 (V(BR)DSS)，确保在高压条件下的可靠运行。
4. 内置反向恢复二极管，优化了续流性能。
5. 热稳定性强，适应恶劣的工作环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
7. 提供卓越的雪崩能力和抗 ESD 性能，进一步增强其耐用性。
该芯片广泛应用于各种高功率场景中，包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC/DC 转换器和 DC/DC 转换器。
2. 工业电机驱动和伺服控制。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 的电力管理系统。
5. 不间断电源 (UPS) 和电池充电设备。
6. 各种需要高效能量转换的工业与消费类电子产品。
STP50NK65Z, IRFP460, FDP17N65
