SBESD9N5C 时间：2025/4/30 20:06:19 阅读：24

SBESD9N5C是一种高性能的瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），主要用于电路中的过电压保护。它能够有效抑制由雷击、静电放电（ESD）、负载突降等引起的瞬态电压脉冲，从而保护敏感电子器件免受损坏。
　　该元器件采用小尺寸封装，适合空间受限的应用场合，同时具备快速响应时间以及低电容特性，使其非常适合高速数据线和信号线的保护。

参数

工作电压：5V
　　峰值脉冲功率：400W（@tp=10/1000μs）
　　反向 standoff 电压：5.8V
　　最大箝位电压：10.2V
　　结电容：12pF（典型值）
　　响应时间：1ps
　　漏电流：1μA（最大值，@VR=5.8V）
　　封装形式：SOD-323

特性

SBESD9N5C具有以下主要特性：
　　1. 快速响应时间，可有效抑制瞬态电压脉冲。
　　2. 低结电容设计，非常适合高速信号和数据线路的保护。
　　3. 高度可靠的性能，能够在多次浪涌冲击后仍然保持良好的保护功能。
　　4. 小型化封装，便于在紧凑型设计中使用。
　　5. 符合RoHS标准，环保且适用于现代电子产品的需求。
　　6. 能够承受高达400W的峰值脉冲功率，在各种恶劣环境下提供可靠保护。

应用

SBESD9N5C广泛应用于各种需要过电压保护的场景，包括但不限于：
　　1. USB接口和其他高速数据传输线路的ESD保护。
　　2. 移动设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源及信号线保护。
　　3. 工业自动化设备中的通信接口保护，例如RS-232、RS-485等。
　　4. 汽车电子系统中的负载突降保护。
　　5. 网络设备中的以太网端口防护。
　　6. 音频和视频设备中的输入输出端口保护。