时间：2025/4/30 20:06:19
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SBESD9N5C是一种高性能的瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），主要用于电路中的过电压保护。它能够有效抑制由雷击、静电放电（ESD）、负载突降等引起的瞬态电压脉冲，从而保护敏感电子器件免受损坏。
该元器件采用小尺寸封装，适合空间受限的应用场合，同时具备快速响应时间以及低电容特性，使其非常适合高速数据线和信号线的保护。
工作电压：5V
峰值脉冲功率：400W（@tp=10/1000μs）
反向 standoff 电压：5.8V
最大箝位电压：10.2V
结电容：12pF（典型值）
响应时间：1ps
漏电流：1μA（最大值，@VR=5.8V）
封装形式：SOD-323
SBESD9N5C具有以下主要特性：
1. 快速响应时间，可有效抑制瞬态电压脉冲。
2. 低结电容设计，非常适合高速信号和数据线路的保护。
3. 高度可靠的性能，能够在多次浪涌冲击后仍然保持良好的保护功能。
4. 小型化封装，便于在紧凑型设计中使用。
5. 符合RoHS标准，环保且适用于现代电子产品的需求。
6. 能够承受高达400W的峰值脉冲功率，在各种恶劣环境下提供可靠保护。
SBESD9N5C广泛应用于各种需要过电压保护的场景，包括但不限于：
1. USB接口和其他高速数据传输线路的ESD保护。
2. 移动设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源及信号线保护。
3. 工业自动化设备中的通信接口保护，例如RS-232、RS-485等。
4. 汽车电子系统中的负载突降保护。
5. 网络设备中的以太网端口防护。
6. 音频和视频设备中的输入输出端口保护。
PESD5V0H1BT,
SM712,
SMEJ5.0A
