时间：2025/7/5 2:40:27
阅读：2
GJM0336C1E200JB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有较低的导通电阻和优秀的开关特性，从而显著提高了系统的整体效率。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，适用于广泛的工业和消费电子领域。其封装形式为 TO-263（DPAK），适合表面贴装技术（SMT），并且具备良好的热性能和电气性能。
型号：GJM0336C1E200JB01D
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：650V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：3.6A（@Tc=25℃）
导通电阻Rds(on)：700mΩ（典型值，@Vgs=10V）
总功耗Ptot：98W
结温范围Tj：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-263（DPAK）
GJM0336C1E200JB01D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度和优化的栅极电荷设计，降低了开关损耗。
3. 高雪崩能力，增强了在异常工作条件下的鲁棒性。
4. 内置静电保护功能，提升了产品的可靠性。
5. 热稳定性好，能够在较高的环境温度下稳定工作。
6. 表面贴装封装，简化了制造工艺并提高了生产效率。
7. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
GJM0336C1E200JB01D 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和适配器设计。
2. DC-DC 转换器及负载点（POL）转换。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 电池保护和管理系统。
5. LED 驱动电路和背光模块。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
7. 其他需要高效率功率转换的应用场景。
GJM0336C1E200JB02D, IRF840, FQP17N65
