PHPT61010PYX 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 通道增强型功率 MOSFET,采用先进的沟槽技术,提供高效率和低导通电阻(RDS(on))的性能。该器件适用于多种功率管理应用,如 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统。PHPT61010PYX 的封装形式为 PowerPAK MLP33-4,具有较小的封装尺寸和较高的热性能,适合空间受限的应用。
类型:N 通道 MOSFET
最大漏极电流 (ID):10A
最大漏极-源极电压 (VDS):20V
最大栅极-源极电压 (VGS):±12V
导通电阻 (RDS(on)):最大值为 10mΩ(在 VGS=4.5V)
功耗 (Ptot):3.1W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
PHPT61010PYX 的主要特性之一是其低导通电阻(RDS(on)),这有助于降低功率损耗并提高整体效率。其最大 RDS(on) 为 10mΩ,在 4.5V 的栅极驱动电压下表现优异。此外,该 MOSFET 采用了先进的沟槽技术,使得在保持高电流能力的同时,能够实现较小的芯片尺寸,从而提高封装的集成度。
该器件的封装形式为 PowerPAK MLP33-4,具有优良的热管理能力,适合高密度 PCB 设计。由于其较小的封装尺寸,PHPT61010PYX 可以应用于空间受限的便携式设备中。此外,该 MOSFET 具有较高的耐用性和可靠性,能够在严苛的工作环境下稳定运行。
PHPT61010PYX 还具备快速开关特性,有助于减少开关损耗,提高系统效率。这对于高频开关应用(如 DC-DC 转换器和同步整流器)尤为重要。该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于降低驱动电路的负担,提高整体系统的响应速度。
PHPT61010PYX 广泛应用于多个领域,包括电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路。由于其低导通电阻和快速开关特性,该 MOSFET 非常适合用于高效能电源转换系统,如同步降压转换器和升压转换器。此外,该器件也可用于电池供电设备中的负载开关控制,以实现更低的静态电流和更高的系统效率。
在工业自动化和通信设备中,PHPT61010PYX 可用于电源模块、电机驱动器和负载开关电路,提供稳定可靠的功率控制。该 MOSFET 的高热性能和紧凑封装使其成为空间受限应用的理想选择,例如便携式电子设备和智能穿戴设备。此外,PHPT61010PYX 也可用于 LED 驱动器、电源适配器和 USB PD 充电电路等应用中。
Si2302DS, AO4406A, FDS6675