时间：2025/5/8 18:37:01
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2N7002KN 是一种 N 沟道增强型小信号 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛用于需要低电压驱动和快速开关的场景。其设计特别适合于模拟和数字电路中的信号处理和功率控制应用，具备较低的导通电阻和较高的开关速度。
2N7002KN 常被用作通用开关或放大器，能够承受高达 60V 的漏源极电压，并且具有最大 200mA 的连续漏极电流能力。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：200mA
最大功耗：340mW
导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω
栅极电荷：5nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
2N7002KN 具有以下关键特性：
1. 低导通电阻，有助于减少功率损耗。
2. 高开关速度，适用于高频信号切换。
3. 小型 SOT-23 封装，节省印刷电路板空间。
4. 较宽的工作温度范围，能够在恶劣环境下可靠运行。
5. 稳定的电气性能，确保长期使用的可靠性。
6. 栅极阈值电压较低，便于使用微控制器等低电压逻辑电路驱动。
2N7002KN 广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 继电器和小型电机驱动控制。
3. 电池保护和负载开关。
4. 数字逻辑电平转换。
5. 便携式设备中的功率管理模块。
6. 信号放大和缓冲电路。
7. 音频设备中的静音控制和保护电路。
2N7002,
BS170,
PMV20EN,
FDN304P
