时间：2025/9/14 7:24:47
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PSMN2R0-60ES,127是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效率和高性能的应用场景。该器件采用了先进的Trench技术，能够在高频率下运行并提供较低的导通电阻和开关损耗。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：110A（在25°C时）
工作温度范围：-55°C至175°C
导通电阻(Rds(on))：2mΩ（最大值）
封装类型：LFPAK56 (Power-SO8)
PSMN2R0-60ES,127具有多项卓越特性，使其适用于各种高性能电源管理应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，提高了系统效率。此外，该器件采用了先进的Trench MOSFET技术，使得在高频开关应用中具有优异的性能，同时降低了开关损耗。
其次，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，并且具有较高的耐用性和可靠性。LFPAK56封装提供了优良的热管理和机械强度，同时支持双面散热，进一步提高了散热效率，适用于高密度电源设计。
最后，该器件符合RoHS环保标准，无铅且无卤素，支持绿色电子设计的要求。其高雪崩能量耐受能力也使其在负载突变或短路情况下具有良好的稳定性和保护能力。
PSMN2R0-60ES,127广泛应用于各种电源管理领域，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、汽车电子、服务器电源和工业电源等。其高效能和高可靠性也使其适用于电机控制、负载开关和功率放大器等高要求场景。
PSMN3R4-60YS,127, PSMN5R0-60YS,127, PSMN1R8-60ES,127
