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GJM0336C1E120GB01D 发布时间 时间:2025/6/5 19:47:36 查看 阅读:7

GJM0336C1E120GB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功耗并提高系统的整体性能。
  该型号属于沟道型MOSFET系列,特别适合在中高电压应用场景下工作。其设计结合了优秀的热特性和电气特性,确保了在严苛环境下的稳定运行。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:80nC
  开关速度:超快
  封装形式:TO-247

特性

GJM0336C1E120GB01D具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提升效率。
  2. 高速开关性能,适用于高频应用场合。
  3. 出色的热稳定性,能够在高温环境下长时间工作。
  4. 高可靠性设计,确保长期使用中的稳定性和耐用性。
  5. 优化的栅极驱动特性,便于与各类控制器配合使用。
  这些特性使得该器件非常适合用于对效率和可靠性要求较高的场景,例如服务器电源、工业电机控制以及电动汽车充电系统等。

应用

GJM0336C1E120GB01D主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 太阳能逆变器
  5. 电动工具和家电中的功率管理模块
  6. 负载切换和保护电路
  凭借其卓越的性能和广泛的适应性,这款MOSFET已成为许多功率电子设计的理想选择。

替代型号

GJM0336C1E120GB02D, IRFZ44N, FDP5570N

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GJM0336C1E120GB01D参数

  • 制造商Murata
  • 电容120 pF
  • 容差2 %
  • 电压额定值25 Volts
  • 温度系数/代码C0H
  • 外壳代码 - in0201
  • 外壳代码 - mm0603
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 产品High Q MLCCs
  • 封装Reel
  • Capacitance - nF0.12 nF
  • 尺寸0.3 mm W x 0.6 mm L x 0.3 mm H
  • 封装 / 箱体0201 (0603 metric)
  • 系列GJM
  • 端接类型SMD/SMT