MA0402CG500G160是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,采用增强型场效应晶体管(eGaN FET)设计。该器件具有高开关速度、低导通电阻和高效率等特点,适用于高频DC-DC转换器、开关电源、电机驱动和其他功率电子应用。其封装形式为8x8mm LFPAK封装,支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和散热管理。
MA0402CG500G160的主要优势在于其卓越的性能参数,能够满足现代电力电子系统对小型化、高效化和高可靠性的需求。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:35A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:9nC
开关频率:高达5MHz
结温范围:-55℃至+175℃
封装类型:LFPAK88
1. 高效的氮化镓(GaN)技术确保了更低的导通电阻和更高的开关频率。
2. 低栅极电荷设计减少了开关损耗,提高了整体效率。
3. 小型化的8x8mm LFPAK封装节省了PCB空间,并提供了良好的热性能。
4. 支持宽范围的工作温度,适应各种严苛环境下的应用。
5. 具备快速开关能力,适合高频DC-DC转换器和开关电源设计。
6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 无线充电设备
4. 汽车电子系统中的功率转换
5. 工业电机驱动和逆变器
6. 消费类电子产品中的快充解决方案
7. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源应用
MA0402CG500G150
MA0402CG500G170
GAN0402TBA-500