您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI9434BDY-T1-E3

SI9434BDY-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/9 18:37:35 查看 阅读:20

SI9434BDY-T1-E3是来自Vishay Siliconix的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型的TSOP6封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合在各种功率管理应用中使用。
  该MOSFET主要应用于消费电子、工业控制和通信设备领域。通过其优秀的电气性能,能够有效提升电路效率并降低功耗。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:2.7A
  导通电阻:5.8mΩ
  栅极电荷:12nC
  输入电容:110pF
  开关时间:ton=13ns, toff=9ns
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

SI9434BDY-T1-E3具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗。
  2. 高速开关性能,使其非常适合高频应用。
  3. 小型化的TSOP6封装设计,节省了PCB空间。
  4. 较宽的工作温度范围,确保其在多种环境下的可靠运行。
  5. 具备优异的热稳定性和耐受能力,适用于恶劣条件下的应用。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子设计中。

应用

这款MOSFET广泛应用于各类需要高效功率转换和开关的场景中,例如:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 直流/直流转换器(DC-DC Converter)。
  3. 负载开关和电池保护电路。
  4. 工业自动化设备中的电机驱动。
  5. 消费类电子产品中的背光驱动。
  6. 各种便携式设备中的电源管理模块。

替代型号

SI9429DY, SI4470DY

SI9434BDY-T1-E3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI9434BDY-T1-E3产品

SI9434BDY-T1-E3参数

  • 数据列表SI9434BDY
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 6.3A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI9434BDY-T1-E3TR