时间：2025/6/19 17:00:24
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CDR34BX563BKZMAT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，专为需要高效率和低功耗的应用设计。该器件采用先进的制造工艺，能够提供卓越的开关性能和导通特性。
这款 MOSFET 具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和极快的开关速度，适用于多种电源管理场景，如 DC-DC 转换器、电机驱动器以及电池充电系统等。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：32A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：98nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247-3
CDR34BX563BKZMAT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有效降低功率损耗。
2. 快速开关能力，支持高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强器件的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
5. 支持高电流负载，确保在严苛条件下的稳定运行。
6. 广泛的工作温度范围，适应各种环境。
CDR34BX563BKZMAT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的电源管理模块。
4. 新能源汽车中的电池管理系统 (BMS) 和逆变器。
5. 太阳能逆变器以及其他高效能电力转换设备。
6. 各种需要高电流和高压支持的电子电路中。
CDR34BX563BKZMTR, IRF3710, FDP5800
