CJU04N65 时间：2025/8/17 3:12:51 阅读：4

CJU04N65是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种高频率功率转换应用中。该器件由华瑞微（Huarui Micro）生产，具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，适用于中高功率的电源管理领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.5Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-220、TO-251、TO-252等

特性

CJU04N65具有多项优良的电气和热性能。其导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件的漏源击穿电压高达650V，使其适用于高压应用环境，如AC-DC电源适配器和功率因数校正（PFC）电路。
　　此外，CJU04N65具备良好的热稳定性和较高的工作温度耐受能力，能够在高温环境下稳定运行。栅极驱动电压范围宽，兼容标准逻辑驱动电路，简化了驱动设计。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，适用于高频开关电路，从而减小了外部滤波元件的体积，提高了系统的功率密度。其封装形式多样，便于根据具体应用选择合适的封装以优化散热和安装方式。

应用

CJU04N65主要应用于各类开关电源（SMPS）、LED驱动电源、适配器、充电器、逆变器、DC-DC转换器以及工业控制中的功率开关电路。由于其具备较高的电压耐受能力和良好的导通性能，该器件也常用于电机控制、电源管理系统和家用电器中的功率调节部分。
　　在消费类电子产品中，如笔记本电脑电源适配器、智能电视电源模块以及网络通讯设备的电源部分，CJU04N65都可作为主开关管使用。此外，在新能源领域，如太阳能逆变系统和电动车充电模块中，也可见其身影。