时间：2025/6/5 19:46:37
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GJM0335C1HR70BB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于电源管理领域。该器件采用先进的制造工艺，在开关速度、导通电阻和热性能等方面表现出色。它适用于各种需要高效率和低损耗的场景，例如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。该芯片具有良好的耐用性和稳定性，能够满足工业级和消费级应用的需求。
这款 MOSFET 的设计重点在于降低功耗并提升系统的整体效率。通过优化的封装技术和内部结构设计，GJM0335C1HR70BB01D 实现了卓越的散热性能，从而提升了其在高温环境下的可靠性。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：42A
栅极电荷：16nC
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263 (D2PAK)
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达42A的连续漏极电流，适合大功率应用场景。
3. 优异的热性能，确保芯片在高温条件下仍能保持稳定运行。
4. 快速开关特性，可有效降低开关损耗。
5. 具备出色的雪崩能力和 ESD 保护功能，增强了器件的鲁棒性。
6. 小型化封装设计，便于 PCB 布局和安装，同时节省空间。
7. 宽广的工作温度范围，使其能够在恶劣环境下可靠工作。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
5. 汽车电子系统中的直流转换和配电。
6. LED 照明驱动中的高效功率控制。
7. 数据中心服务器及通信设备中的电源模块。
GJM0335C1HR70BB01E, GJM0335C1HR70BB01F
