时间：2025/6/28 20:32:43
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TVM0G180M300R是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用TO-247封装形式。这款器件专为高电压和大电流应用设计，广泛用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域。其特点是具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，能够在恶劣的工作条件下保持稳定的性能。
该器件属于N沟道增强型MOSFET，适用于各种需要高效能开关操作的应用场景。
最大漏源电压：1800V
最大连续漏极电流：300A
导通电阻（典型值）：95mΩ
栅极电荷（典型值）：230nC
输入电容（典型值）：3600pF
总功耗：300W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
TVM0G180M300R具有优异的热性能和电气性能，具体表现为：
1. 高击穿电压（1800V），能够承受极端电压条件下的工作需求。
2. 极低的导通电阻（95mΩ典型值），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关特性，支持高频操作，适合现代电力电子设备的需求。
4. 超强的电流承载能力（300A），确保在高负载条件下稳定运行。
5. 宽泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），适应各种环境条件下的应用需求。
6. TO-247封装形式提供良好的散热性能，进一步提升了器件的可靠性。
TVM0G180M300R主要应用于以下领域：
1. 工业级开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。
2. 大功率逆变器，如太阳能逆变器和风能转换系统。
3. 电动汽车和混合动力汽车中的电机驱动系统。
4. 各类工业控制设备，例如伺服驱动器和变频器。
5. 高压直流输电（HVDC）系统中的功率转换模块。
6. 其他需要高电压、大电流和快速开关性能的电力电子设备。
TVM0G180M250R
TVM0G180M200R
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