时间：2025/6/20 9:45:25
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JSM50N20C是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等场景。由于其低导通电阻和快速开关特性，JSM50N20C能够有效地降低功耗并提高系统效率。
这款功率MOSFET的最大漏源电压为200V，能够承受较高的电压波动，并且具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、消费类电子以及通信设备等领域。
最大漏源电压：200V
最大漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：0.15Ω
栅极电荷（典型值）：38nC
输入电容（典型值）：970pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
JSM50N20C具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：额定漏源电压高达200V，适合高压应用场景。
2. 低导通电阻：典型值为0.15Ω，在大电流条件下能有效减少导通损耗。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷和输入电容确保了较快的开关速度，有助于降低开关损耗。
4. 高可靠性：具备出色的热特性和电气稳定性，能够在极端温度环境下正常工作。
5. 封装优势：采用标准TO-220封装，易于安装和散热设计。
6. 宽工作温度范围：从-55℃到+150℃，适应各种恶劣环境。
JSM50N20C广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器：实现高效的电压转换功能。
3. 电机驱动：适用于各类直流无刷电机或步进电机的控制电路。
4. 负载切换：保护电路免受异常电流影响。
5. 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器（PLC）中的功率输出模块。
6. 消费类电子产品：例如适配器、充电器及家用电器中的功率控制部分。
IRF540N
FQP50N06L
STP55NF06
AO3400
