2N669是一款NPN型高频晶体管,广泛应用于射频(RF)和中频(IF)放大电路中。这款晶体管以其优异的高频性能和稳定性而闻名,适用于需要高增益和低噪声的电子电路设计。2N669通常采用TO-18金属封装,具有良好的散热性能和机械稳定性。
晶体类型:NPN
封装类型:TO-18
最大集电极电流:100 mA
最大集电极-发射极电压:30 V
最大基极-发射极电压:5 V
最大功耗:300 mW
频率范围:最高可达100 MHz
增益带宽积:250 MHz
噪声系数:4 dB(典型值)
2N669晶体管的特性使其在高频应用中表现出色。首先,它具有较高的增益带宽积,能够支持高达250 MHz的工作频率,这使得它非常适合用于射频放大器的设计。其次,2N669的噪声系数较低,典型值为4 dB,这使其在低噪声放大器中也有良好的表现。
此外,2N669的封装形式为TO-18,这种金属封装不仅提供了良好的散热性能,还增强了器件的机械强度和稳定性,适用于各种严苛的工作环境。其最大集电极-发射极电压为30 V,最大集电极电流为100 mA,能够承受一定的功率负荷,适用于中功率放大电路。
由于其高频特性和低噪声特性,2N669常用于无线电接收器和发射器的前端放大电路,以及中频放大器中。在这些应用中,保持信号的完整性和低噪声是至关重要的,而2N669的性能恰好满足了这些需求。
2N669主要用于射频和中频放大电路,特别是在无线电通信设备中,如收音机、电视接收器、无线对讲机等。它也常用于测试设备中的信号放大模块,以及一些音频放大器的前置放大级。由于其良好的高频特性,2N669也适合用于振荡器和混频器电路中。
2N3904, BC547