时间：2025/6/24 10:51:36
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GJM0335C1H3R9CB01D 是一款由知名半导体厂商推出的高性能功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率电源转换和电机驱动领域。该芯片采用先进的制造工艺，在低导通电阻和高开关速度方面表现优异，能够有效降低能量损耗并提升系统整体性能。
该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，其封装形式为行业标准的 PQFN 封装，具备出色的散热性能以及紧凑的设计，非常适合空间受限的应用场景。
型号：GJM0335C1H3R9CB01D
类型：N沟道增强型MOSFET
额定电压（Vds）：30V
额定电流（Id）：280A
导通电阻（Rds(on)）：0.6mΩ（典型值，25°C时）
栅极电荷（Qg）：45nC（最大值）
输入电容（Ciss）：3700pF（典型值）
输出电容（Coss）：80pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PQFN
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提高效率。
2. 高额定电流能力 (280A)，适用于大功率应用。
3. 快速开关性能，能够显著降低开关损耗。
4. 具备强大的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 紧凑型 PQFN 封装设计，节省 PCB 布局空间。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
7. 提供卓越的 ESD 和雪崩保护功能，增强器件的耐用性。
8. 可用于同步整流、DC-DC 转换器以及其他高频开关应用中。
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
2. 电动车辆 (EV/HEV) 的牵引逆变器和辅助电源模块。
3. 工业级电机驱动和控制电路。
4. 高效 DC-DC 转换器及 PFC（功率因数校正）电路。
5. 太阳能逆变器中的功率管理组件。
6. 大功率 LED 驱动器中的关键功率元件。
7. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制开关。
8. 各类工业自动化设备中的负载切换和保护。
GJM0335C1H3R7CB01D, GJM0335C1H3R8CB01D
