时间：2025/6/21 15:02:15
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BD5325G-TR是来自ROHM（罗姆）的一款低功耗、高精度的P沟道MOSFET晶体管，广泛应用于电源开关和负载控制电路中。它采用小型化的SOT-23封装形式，适合对空间要求较高的设计场景。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗，并且具备快速开关性能。
BD5325G-TR的主要特点是其出色的效率表现和可靠性，适用于各类消费电子设备、便携式设备以及工业控制应用。
最大漏极电流：1.8A
最大栅源电压：±8V
导通电阻（Rds(on)）：0.16Ω（典型值，在Vgs=-4.5V时）
工作温度范围：-40°C至+125°C
封装类型：SOT-23
漏源极击穿电压：-30V
BD5325G-TR是一款P沟道增强型MOSFET，其主要特性包括：
1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提升整体效率。
2. 小型SOT-23封装，使其非常适合于空间受限的应用场合。
3. 工作温度范围广，从-40°C到+125°C，确保在极端环境下仍能稳定运行。
4. 快速开关速度，支持高频操作，适合现代电子设备的需求。
5. 高精度的电气特性，确保了在各种应用场景中的可靠性和一致性。
6. 可靠的ESD保护设计，提高了器件的耐用性与稳定性。
BD5325G-TR可应用于多种领域，包括但不限于以下场景：
1. 电源管理模块中的负载开关。
2. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等的电源切换。
3. 电池供电设备中的电池保护电路。
4. 各种工业控制设备中的信号隔离和功率传输。
5. 电机驱动器中的功率级开关。
6. LED驱动电路中的开关元件。
BD5326G-TR, BSS138
