TSP5N60M 时间：2025/4/27 11:42:47 阅读：4

TSP5N60M是一种N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供卓越的性能。

参数

型号：TSP5N60M
　　类型：N-Channel MOSFET
　　漏源极电压(Vds)：600V
　　连续漏极电流(Id)：5A
　　栅源极电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：3.2Ω(典型值，在Vgs=10V时)
　　功耗(Ptot)：15W
　　结温范围(Tj)：-55℃ to +175℃
　　封装形式：TO-220

特性

TSP5N60M具有以下关键特性：
　　1. 高击穿电压：该器件支持高达600V的漏源极电压，适用于高压电路。
　　2. 低导通电阻：在Vgs=10V时，其典型导通电阻为3.2Ω，可显著降低传导损耗。
　　3. 快速开关能力：优化的设计使得器件能够实现快速的开启和关断，减少开关损耗。
　　4. 热稳定性：宽泛的结温范围使其能够在极端温度条件下稳定工作。
　　5. 高可靠性：通过严格的测试和筛选流程，确保了长期使用的可靠性。

应用

TSP5N60M因其高性能和可靠性，广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)：包括适配器、充电器等。
　　2. 电机控制：用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机驱动。
　　3. 逆变器：适合于太阳能逆变器和其他电力转换系统。
　　4. 工业自动化设备：如伺服驱动器、PLC控制器等。
　　5. 汽车电子：例如车载充电器、电动座椅驱动等。