BAT83 时间：2025/12/27 21:01:07 阅读：14

BAT83是一种硅肖特基势垒二极管，采用表面贴装封装（SOD-323或SOT-23），具有低正向压降和快速开关特性。该器件由英飞凌（Infineon）等公司生产，广泛应用于高频开关电路、信号解调、电源整流以及极性保护等场景。由于其基于肖特基结构的设计，与传统的PN结二极管相比，BAT83在导通时的电压降更低，通常在0.3V至0.45V之间（取决于工作电流），这有助于提高系统效率并减少热量产生。该二极管为双阳极共阴极配置，即在一个封装内集成两个独立的肖特基二极管，常用于双通道整流或逻辑电平箝位电路中。BAT83适用于便携式电子设备、通信模块、消费类电子产品及工业控制装置中的低压、高频应用环境。其小型化封装设计使其非常适合空间受限的应用场合。

参数

类型：肖特基二极管
　　配置：双二极管（共阴极）
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：200mA
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：500mA
　　最大正向压降（VF）：@ IF = 1mA: 0.25V; @ IF = 10mA: 0.38V; @ IF = 50mA: 0.52V
　　最大反向漏电流（IR）：@ VR = 25V, 25°C: 0.5μA; @ VR = 25V, 125°C: 100μA
　　反向恢复时间（trr）：< 4ns
　　工作结温范围（Tj）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-323 / SOT-23

特性

BAT83的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体接触形成整流特性，避免了传统PN结中存在的少数载流子存储效应，从而实现了极快的开关速度。其反向恢复时间（trr）小于4纳秒，在高频整流应用中表现优异，例如在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和射频检测电路中能够显著降低开关损耗并提升整体能效。此外，由于没有少子注入和复合过程，BAT83在瞬态响应方面也表现出色，适合处理高速数字信号的箝位和保护。
　　另一个关键特性是其低正向导通压降。在典型工作电流下（如10mA），其正向压降仅为约0.38V，远低于标准硅二极管的0.7V左右。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它减少了能量损耗，延长了电池寿命。同时，低VF也有助于降低热耗散需求，允许在紧凑布局中使用而无需额外散热措施。
　　BAT83的双二极管共阴极结构使其非常适合用于双路信号整流、输入电压箝位或ESD保护电路。每个二极管可独立工作，最大平均整流电流为200mA，足以满足大多数低功率应用场景的需求。尽管其反向耐压仅为30V，限制了其在高压系统中的使用，但在现代低压电子系统（如3.3V、5V或12V供电系统）中完全足够。
　　该器件还具备良好的温度稳定性，反向漏电流在高温下虽有所增加，但仍处于可控范围内。其工作结温可达+150°C，适用于较为严苛的工业环境。SOD-323/SOT-23的小型封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，符合现代电子产品微型化趋势。

应用

BAT83广泛应用于需要高效、快速响应的低电压、小电流电路中。一个典型用途是在开关电源和DC-DC转换器中作为次级侧整流元件，尤其是在低压输出（如3.3V或5V）的情况下，其低正向压降可以显著提高转换效率，减少发热问题。由于传统快恢复二极管在此类应用中存在较高的导通损耗，BAT83成为更具吸引力的选择。
　　在通信和射频领域，BAT83常被用作包络检波器或信号解调元件，得益于其快速的响应时间和较低的结电容，能够准确提取调制信号。它也被用于高速数据线路中的瞬态电压抑制和信号箝位，防止过压损坏后续逻辑电路。
　　在数字电路中，BAT83可用于I/O端口的电平移位和保护，例如将不同电压域的信号进行隔离或限制电压摆幅。其双二极管结构特别适合H桥驱动电路或推挽输出结构中的续流路径设计，提供可靠的反向电压保护。
　　此外，BAT83还常见于电池管理系统、USB接口保护、传感器信号调理电路以及便携式消费电子产品（如智能手机、可穿戴设备）中，执行电源极性反接保护、防倒灌二极管功能或后备电源切换等任务。其小型封装和高可靠性使其成为高密度PCB设计的理想选择。