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GJM0335C1ER60BB01D 发布时间 时间:2025/7/8 21:55:21 查看 阅读:4

GJM0335C1ER60BB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺,广泛应用于需要高效率和低功耗的电力电子设备中。该芯片具有极低的导通电阻和出色的开关性能,适用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。

参数

型号:GJM0335C1ER60BB01D
  类型:N沟道 MOSFET
  封装:TO-247
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏电流(Id):35A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  最大功耗(Ptot):180W
  工作温度范围(Ta):-55℃ to +175℃
  结温(Tj):-55℃ to +175℃

特性

GJM0335C1ER60BB01D 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为1.5mΩ,从而显著降低传导损耗。
  2. 快速开关能力,优化了开关速度,减少开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,提升了器件在异常条件下的可靠性。
  4. 热稳定性强,能够在极端温度环境下长期可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 提供优异的 ESD 保护性能,增强器件抗静电能力。
  7. TO-247 封装形式,便于散热和安装,适合高功率应用。
  这些特性使 GJM0335C1ER60BB01D 成为工业和汽车应用的理想选择。

应用

GJM0335C1ER60BB01D 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器,提供高效的功率转换。
  2. 电机驱动电路,控制各种类型的电机运行。
  3. 太阳能逆变器,用于太阳能发电系统的电能转换。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 电动汽车(EV) 和混合动力汽车(HEV) 的电池管理系统(BMS) 和电机控制器。
  6. 高频整JM0335C1ER60BB01D 的高效性和可靠性使其成为现代电力电子设计中的关键元件。

替代型号

GJM0335C1ER60BA01D, IRF3205, FDP033N06L

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GJM0335C1ER60BB01D参数

  • 特色产品High Frequency - High Q Capacitors
  • 标准包装15,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列GJM
  • 电容0.60pF
  • 电压 - 额定25V
  • 容差±0.1pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 尺寸/尺寸0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.013"(0.33mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-