时间：2025/8/2 4:33:36
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PXN5R4-30QL是一款由Panasonic（松下）公司生产的功率MOSFET晶体管，适用于高功率开关和电源管理应用。该器件采用先进的制造工艺，具备高效率、低导通电阻和良好的热稳定性。
类型：功率MOSFET
封装类型：表面贴装（SMD）
最大漏源电压（Vds）：30V
最大漏极电流（Id）：5A
导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
PXN5R4-30QL具有低导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定工作。
该器件采用紧凑的表面贴装封装，节省PCB空间，并提供优异的散热性能。适用于高密度电源设计，如DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统。
同时，PXN5R4-30QL具有高可靠性，支持在恶劣环境中长时间运行，确保系统的稳定性与耐久性。其栅极驱动电压范围较宽，便于与多种控制电路兼容，提高设计灵活性。
PXN5R4-30QL广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器以及工业自动化设备中的功率开关电路。其高效率和紧凑封装使其成为便携式电子设备和车载电子系统中的理想选择。
IPD5N03C4-03, FDS6680, NDS351AN
