时间：2025/6/10 10:46:31
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GJM0335C1E130JB01D 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关芯片，专为高频、高效率应用场景设计。该器件采用先进的封装工艺，能够提供出色的热性能和电气特性，适用于电源管理、快充适配器、无线充电以及工业电源转换等领域。
其内部集成了增强型 GaN 晶体管和驱动电路，优化了开关速度和功耗表现。此外，该型号支持高达 100V 的工作电压，并具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低传导损耗并提升系统效率。
型号：GJM0335C1E130JB01D
类型：GaN 功率开关
最大漏源电压(Vdss)：100 V
导通电阻(Rds(on))：130 mΩ
连续漏极电流(Id)：12 A
栅极阈值电压(Vth)：1.5 V ~ 4.0 V
开关频率：最高支持至 5 MHz
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：LLP8 封装
GJM0335C1E130JB01D 的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on) = 130 mΩ），有助于减少功率损耗并提高整体效率。
2. 高速开关能力，可实现高达 5 MHz 的开关频率，适合高频应用。
3. 内置保护功能，例如过流保护和短路保护，提升了系统的可靠性。
4. 采用 LLP8 小型封装，减少了 PCB 占用面积并改善散热性能。
5. 支持宽输入电压范围和多种拓扑结构，如 Buck、Boost 和反激式转换器。
6. 出色的热性能，保证在高温环境下仍能稳定运行。
7. 符合 RoHS 标准，确保环保与安全。
这款 GaN 功率开关芯片广泛应用于以下领域：
1. USB PD 快充适配器
2. 开关模式电源（SMPS）
3. 无线充电发射端
4. 工业电机驱动电源
5. LED 驱动器
6. 数据中心电源模块
7. 消费类电子产品的高效 DC-DC 转换器
8. 电动汽车车载充电器及电池管理系统
GJM0335C1E150JB01D, GJM0335C1E180JB01D
