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N32024U3DN 发布时间 时间:2025/3/26 8:46:30 查看 阅读:7

N32024U3DN是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电路等领域。该器件属于N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合高频应用场合。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:78nC
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,支持高频工作环境。
  3. 强大的电流承载能力,可满足大功率应用需求。
  4. 良好的热稳定性,适用于极端温度条件下的使用场景。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。

应用

1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统。
  5. 各种保护电路和固态继电器设计。

替代型号

IRF3205, SI4895DY, FDP5500