N32024U3DN是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电路等领域。该器件属于N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合高频应用场合。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:45A
导通电阻:4mΩ
栅极电荷:78nC
工作温度范围:-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高速开关能力,支持高频工作环境。
3. 强大的电流承载能力,可满足大功率应用需求。
4. 良好的热稳定性,适用于极端温度条件下的使用场景。
5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统。
5. 各种保护电路和固态继电器设计。
IRF3205, SI4895DY, FDP5500