时间：2025/7/16 13:18:03
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LDI3AV6C0XXIX 是一款高性能的低噪声放大器（LNA）芯片，广泛应用于射频和微波通信系统中。该芯片采用先进的GaAs（砷化镓）工艺制造，具有高增益、低噪声系数以及宽频带的特点，适用于无线通信、卫星接收和其他高频信号处理场景。
该芯片设计紧凑，能够满足小型化和高性能的需求，同时其出色的线性度表现使其成为蜂窝基站、直放站和无线回传应用的理想选择。
类型：低噪声放大器
工艺：GaAs MESFET
工作频率范围：1710 MHz 至 2170 MHz
增益：19 dB
噪声系数：0.8 dB
输入回波损耗：15 dB
输出回波损耗：14 dB
电源电压：3.3 V
静态电流：50 mA
封装形式：SOT-89
LDI3AV6C0XXIX 具有以下主要特性：
1. 高性能：在工作频段内表现出优异的增益和低噪声系数，确保信号质量。
2. 宽频带支持：覆盖从 1710 MHz 到 2170 MHz 的频段，适合多种无线通信标准。
3. 线性度优秀：具备较高的 IIP3（三阶输入截点），能够有效抑制非线性失真。
4. 易于集成：采用 SOT-89 封装，体积小且易于焊接和安装。
5. 低功耗：在保证性能的同时，仅需 50 mA 的静态电流，减少整体功耗需求。
6. 稳定性强：对温度变化具有良好的适应能力，能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。
LDI3AV6C0XXIX 芯片主要应用于以下领域：
1. 蜂窝基站：
- 提供前端射频信号放大功能，增强接收灵敏度。
2. 直放站：
- 放大弱信号以延长通信距离。
3. 无线回传设备：
- 在点对点或点对多点通信链路中提升信号强度。
4. 卫星通信：
- 用于地面终端设备中的射频前端部分。
5. 雷达系统：
- 提供高增益和低噪声的信号放大功能，提高探测精度。
6. 测试与测量仪器：
- 增强信号源或分析仪的性能，实现更精确的测试结果。
LDI3AV6B0XXIX, LDI3AV6D0XXIX
