型号：GGPM01U
　　制造商：STMicroelectronics
　　产品系列：STPOWER MOSFET
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：100 V
　　栅源电压VGS：±20 V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：4.8 A
　　脉冲漏极电流IDM：19 A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10 V：27 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：33 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 2.5 V：48 mΩ
　　阈值电压VGS(th) typ：2.0 V
　　输入电容Ciss：680 pF
　　输出电容Coss：170 pF
　　反向传输电容Crss：40 pF
　　栅极电荷Qg（typ）：10 nC
　　开启延迟时间td(on)：10 ns
　　关断延迟时间td(off)：20 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerFLAT 3.3x3.3

GGPM01U 具备优异的导通性能和开关特性，其核心优势在于采用了ST成熟的沟道MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与高效的能量转换效率。该器件在VGS=10V时，最大RDS(on)仅为27mΩ，显著降低了导通损耗，特别适用于对功耗敏感的高效率电源系统。此外，它在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好性能，在4.5V甚至2.5V驱动条件下依然具备稳定的导通能力，这使得其可兼容多种逻辑电平控制器，如微控制器或专用驱动IC，增强了系统的灵活性。
　　该器件具有较小的输入、输出及反馈电容，从而减少了开关过程中的动态损耗，提升了高频工作的可行性。同时，其低栅极电荷（Qg典型值为10nC）意味着驱动电路所需提供的能量更少，有利于降低驱动级的功率消耗，并加快开关响应速度。这种特性使其非常适合用于高频DC-DC变换器、同步整流电路以及其他要求快速切换的应用场景。
　　GGPM01U还具备优良的热稳定性和抗雪崩能力，能够在严苛的工作环境中可靠运行。其封装采用PowerFLAT 3.3x3.3mm尺寸，不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，通过底部裸露焊盘可有效将热量传导至PCB，提高整体热管理效率。该器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101等车规级可靠性测试，表明其在汽车电子应用中也具备一定的适用性。
　　内置体二极管具有较快的反向恢复特性，进一步增强了其在感性负载切换中的表现，例如在H桥电机驱动或电源续流路径中能够有效抑制电压尖峰。综合来看，GGPM01U是一款兼顾高性能、小尺寸与高可靠性的功率MOSFET，适合现代高密度、高效率电源设计需求。

GGPM01U 主要应用于需要高效功率开关的电子系统中，常见用途包括但不限于：开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器、同步整流电路、电池供电设备的电源管理单元、便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、移动电源）、工业控制系统中的电机驱动模块、LED照明驱动电源、USB PD快充适配器、电动工具电源模块以及各类嵌入式系统的低侧开关控制。此外，得益于其小型化封装和良好热性能，该器件也适用于空间受限但功率密度要求较高的应用场景。在汽车电子领域，可用于车身控制模块、车载充电系统或辅助电源系统等非主驱部分。

STP20NF10L, IRLML6344, FDMC8878