FDN5630P 时间：2025/8/24 20:34:47 阅读：5

FDN5630P 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、低电压应用，广泛应用于电池供电设备、电源管理、负载开关、DC-DC 转换器等场合。FDN5630P 采用 8 引脚 SOIC 封装，具有良好的热性能和高可靠性，适用于需要小尺寸和高性能的便携式电子设备。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-4A（@ Vgs = -4.5V）
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（@ Vgs = -4.5V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOIC-8

特性

FDN5630P 采用先进的功率 MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，使其在低电压应用中表现出色。该器件在 -4.5V 的栅极驱动电压下仍能保持较低的导通损耗，有助于提高系统整体效率。此外，FDN5630P 具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下维持稳定运行。其 SOIC-8 封装形式不仅节省空间，还具有良好的散热性能，适合高密度 PCB 布局。该器件内部结构优化，具有较低的输入电容和开关损耗，适用于高频开关应用。FDN5630P 还具备出色的抗静电能力（ESD）和良好的可靠性，能够在恶劣环境下稳定工作。

应用

FDN5630P 常用于便携式电子产品中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和电池管理系统。此外，它还可用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、热插拔电源控制以及各种低电压功率开关应用。由于其高可靠性和紧凑封装，FDN5630P 也适用于工业控制系统和汽车电子设备中的低电压功率管理场合。